产品中心
设备用途
广泛用于半导体、LED研究，可满足铝、钛、铬、钼、钒、镍、银、铟等金属，ITO等氧化物在基片上均匀沉积薄膜的各类工艺要求。
设备组成
系统主要由真空室、旋转基片架、加热系统、电子枪及电子枪电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成。立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装。
技术指标
1、极限真空度：≤6.7×10-5 Pa (经烘烤除气后)；
2、系统真空检漏漏率：≤6.7×10-8 Pa.l/S；
3、20分钟可达到工作真空度6.7×10-4 Pa；
4、蒸发速率：0.1～15Å/sec；
5、膜厚均匀性：片内≤±1%，片间≤±1%；
6、电子枪及电源：10KW，坩埚6x40cc；
7、膜厚控制仪（单探头）：1套；
8、拱形基片架：可同时放置20片4″基片；
9、样品加热温度：室温～300°C；
10、无油泵抽系统：1套；
11、自动控制系统：1套；
12、占地面积：1600×2700mm；开门后尺寸：3200×3700mm。
公司：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
地址：沈阳市浑南新区新源街1号
销售电话：024-23826899、024-23826855
售后电话：024-23826838
传真：024-23826828
邮箱：sales@sky.ac.cn
网址：www.greenvalleyismyhome.com
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