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首页 ? 产品中心 ? LED衬底及窗口片设备 ? 碳化硅晶体生长炉
设备用途
主要用于半导体和LED行业。采用中频感应加热方式，物理气相传输法生长优质光学晶体。
设备组成
本系统采用单室立式双层水冷不锈钢结构。由炉膛、真空获得及测量系统、籽晶杆拉送系统、坩埚杆拉送系统、感应加热系统、电控系统等组成。
技术指标
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型号 |
TDL60P |
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炉内真空度 |
极限真空 |
6.6×10-5Pa |
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系统抽速 |
60分钟内真空度<2×10-3Pa（短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气） |
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系统漏率 |
停泵关机12小时后真空度≤10Pa |
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炉体 |
主炉膛 |
尺寸Φ600×800 mm |
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副炉膛 |
尺寸Ф300×400mm |
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转速 |
0～30rpm |
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提拉速度连续可调范围 |
0.06～6㎜/h |
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快提拉速度连续升降可调 |
≥50㎜/min |
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有效行程 |
390㎜ |
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坩埚传动机构 |
转速 |
0～30rpm |
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升速范围 |
0.06～6㎜/h |
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快提拉速度连续升降可调 |
≥50㎜/min |
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有效行程 |
560㎜ |
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额定总功率 |
55KW |
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循环水用量 |
3m3/h |
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真空配置 |
分子泵、机械泵、插板阀 |
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占地面积 |
主机 |
1500×2500mm2 |
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电控柜 |
700×700mm2（一个） |
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| 上一篇：碳化硅单晶炉系统TDL85P |
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